MOS管又称金属氧化物半导体场效应管，是常用的功率开关元件之一，具有高输入电阻，低输入电容和大的控制范围等优点。mos管的工作原理是基于屏蔽栅结构，当门极施加足够高的正电压时，形成漂移区，漫游电子堆积于漂移区的表面而形成导电通道。当D极施加一定的电压时，漂移区的电子就会受到D极的作用逐渐形成集中区，电流得以流动。这样mos管就能够实现导通状态。相反地，当G极施加一定的负电压时，漂移区的电子就会被抽离，从而形成截止状态。mos管在工作时还会产生一定量的局部热量，因此散热措施也很重要。
总而言之，mos管是一种基于金属-氧化物半导体的场效应管，其操控电流的能力得到了广泛应用，适用于各种电子线路。它的高输入电阻和低输入电容也很有优势。然而，制造这样的元件需要一定的成本和技术投入，在使用时也需要注意其散热问题。